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氮化鎵:
是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器的條件下,產生紫光(405nm)激光。
產品規格 | |
產品名稱/英文名稱 | 氮化鎵/Gallium nitride 高純氮化鎵,氮化鎵粉末 |
純 度 | 99.9%(3N),99.99%(4N),99.999%(5N) |
粒度 | 100,200,定制(目) |
分子式 | GaN |
表觀(顏色/形態) | 微黃色或灰色粉末。 |
CAS登錄號/分子量 | 25617-97-4/83.7297 |
常見用途 | 廣泛作為半導體材料和熒光粉,蒸鍍料,氮化鎵靶材行業,氮化鎵充電器源料,可以用在紫光的激光二極管。 是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。 |
產品包裝 | 1kg/瓶,或按要求包裝。 |
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